STW34NB20

STW34NB20. C(in): 2400pF. Kosten): 650pF. Kanaltyp: N. Konditionierung: Kunststoffrohr. Drain-Source-Schutz: Zenerdiode. Trr-Diode (Min.): 290 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: PowerMESH™ MOSFET. Id(imp): 136A. ID (T=100°C): 21A. ID (T=25°C): 34A. IDSS (max): 10uA. IDss (min): 1uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: W34NB20. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 180W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.62 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 17 ns. Td(on): 30 ns. Gehäuse: TO-247. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-247. Spannung Vds(max): 200V. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. Vgs(th) min.: 4 v. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. Konditionierungseinheit: 30. Spec info: Schaltnetzteile SMPS, DC-AC-Wandler. G-S-Schutz: NINCS. Bestandsmenge aktualisiert am 12/01/2025, 19:25.