STW45NM60

STW45NM60. C(in): 3800pF. Kosten): 1250pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: Zenerdiode. Trr-Diode (Min.): 508 ns. Transistortyp: MOSFET. Id(imp): 180A. ID (T=100°C): 28A. ID (T=25°C): 45A. IDSS (max): 100uA. IDss (min): 10uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: W45NM60. Pd (Verlustleistung, max): 417W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.09 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 16 ns. Td(on): 30 ns. Technologie: MDmesh PpwerMOSFET. Gehäuse: TO-247. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-247. Betriebstemperatur: -65...+150°C. Spannung Vds(max): 650V. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. Spec info: Idm--180Ap (pulsed). G-S-Schutz: NINCS. Bestandsmenge aktualisiert am 12/01/2025, 19:25.