STW5NB90

STW5NB90. C(in): 1250pF. Kosten): 128pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: Zenerdiode. Trr-Diode (Min.): 700 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Schaltnetzteile (SMPS). Id(imp): 22.4A. ID (T=100°C): 3.3A. ID (T=25°C): 5.6A. IDSS (max): 50uA. IDss (min): 1uA. Pd (Verlustleistung, max): 160W. Einschaltwiderstand Rds On: 2.3 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 13 ns. Td(on): 18 ns. Technologie: PowerMESH MOSFET. Gehäuse: TO-247. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-247. Betriebstemperatur: -65...+150°C. Spannung Vds(max): 900V. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. G-S-Schutz: NINCS. Bestandsmenge aktualisiert am 12/01/2025, 19:25.