Thyristoren

Igt (max): 40mA. Igt (Typ): 40mA. Ih (max): 100mA. Ih (Typ): 100mA. IT(AV): 4A. IT(RSM) (TC=85°C): 6A. Es ist M: 40A. Anzahl der Terminals: 3. Temperatur: +110°C. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220. Tq: 20ms. VDRM: 100V. Spec info: F-THY TV-HA

Funktion: Gattergesteuerter Thyristor auf Logikebene. Igt (max): 0.2mA. Igt (Typ): 0.05mA. Ih (max): 5mA. Ih (Typ): 2mA. IT(AV): 0.5A. IT(RSM) (TC=85°C): 0.8A. Es ist M: 8A. Anzahl der Terminals: 3. Temperatur: +125°C. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Tgt: 2us. Gehäuse: TO-92. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-92 ( SOT-54 ). Tq: 100us. VDRM: 600V

Funktion: Gattergesteuerter Thyristor auf Logikebene. Igt (max): 0.2mA. Igt (Typ): 0.05mA. Ih (max): 5mA. Ih (Typ): 2mA. IT(AV): 0.63A. IT(RSM) (TC=85°C): 1A. Es ist M: 8A. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: BT169G. Anzahl der Terminals: 3. Temperatur: +125°C. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Tgt: 2us. Gehäuse: SOT-223 ( TO-226 ). Gehäuse (laut Datenblatt): SOT-223. Tq: 100us. VDRM: 600V

Igt (max): 0.2mA. Igt (Typ): 0.05mA. Ih (max): 5mA. Ih (Typ): 2mA. IT(AV): 0.5A. IT(RSM) (TC=85°C): 0.8A. Es ist M: 8A. Anzahl der Terminals: 3. Temperatur: +125°C. RoHS: ja. Zusammenfassung: F-THYR . Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Tgt: 2us. Gehäuse: TO-92. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-92 (SOT-54). VDRM: 400V

Konditionierungseinheit: 1000. Funktion: Gattergesteuerter Thyristor auf Logikebene. Igt (max): 0.2mA. Igt (Typ): 0.05mA. Ih (max): 5mA. Ih (Typ): 2mA. IT(AV): 0.5A. IT(RSM) (TC=85°C): 0.8A. Es ist M: 8A. Anzahl der Terminals: 3. Temperatur: +125°C. RoHS: ja. Zusammenfassung: F-THYR . Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Tgt: 2us. Gehäuse: TO-92. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-92 ( SOT-54 ). Tq: 100us. VDRM: 600V

Igt (max): 200uA. Igt (Typ): 50uA. Ih (max): 6mA. Ih (Typ): 0.3mA. IT(AV): 5A. IT(RSM) (TC=85°C): 8A. Es ist M: 75A. Anzahl der Terminals: 3. Temperatur: +125°C. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Tgt: 2us. Gehäuse: TO-220FP. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220F ( SOT186A ). Tq: 100us. VDRM: 500V. Funktion: Logikpegelgesteuerter Thyristor. Spec info: ITSM--82A, t=8.3ms

Igt (max): 100uA. Igt (Typ): 50uA. Ih (max): 6mA. Ih (Typ): 0.3mA. IT(AV): 5A. IT(RSM) (TC=85°C): 8A. Es ist M: 75A. Anzahl der Terminals: 3. Temperatur: +125°C. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Tgt: 2us. Gehäuse: TO-220FP. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220F ( SOT186A ). Tq: 100us. VDRM: 800V. Funktion: Logikpegelgesteuerter Thyristor. Spec info: ITSM--82A, t=8.3ms

Igt (Typ): 50mA. Ih (max): 75mA. IT(AV): 19A. IT(RSM) (TC=85°C): 30A. RoHS: ja. Zusammenfassung: 50 Hz. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TOP-3. VDRM: 1200V. Hinweis: ins. Spec info: ITSM--420A (tp = 8.3mS)

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Hochleistungsthyristor. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TOP-3I. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: BTW68-1200. Spitzenspannung (repetitiv) Urrm [V]: 1.2 kV. Effektiver Strom (periodisch) Iav [A], max.: 19A. IP-Spitzenstrom (nicht repetitiv): 400A. Igm[A]: 50mA. Betriebstemperaturbereich min (°C): -40°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +125°C

Igt (Typ): 50mA. Ih (max): 75mA. IT(AV): 19A. IT(RSM) (TC=85°C): 30A. RoHS: ja. Zusammenfassung: 50 Hz. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TOP-3. VDRM: 800V. Hinweis: ins. Spec info: ITSM--420A (tp = 8.3mS)

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Hochleistungsthyristor. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TOP-3I. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: BTW691200. Spitzenspannung (repetitiv) Urrm [V]: 1.2 kV. Effektiver Strom (periodisch) Iav [A], max.: 32A. IP-Spitzenstrom (nicht repetitiv): 580A. Igm[A]: 80mA. Betriebstemperaturbereich min (°C): -40°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +125°C. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-3P insulated. Betriebstemperatur: -40...+125°C. VDRM: 1200V

Funktion: 50 Hz. Igt (max): 80mA. Igt (Typ): 8mA. Ih (max): 150mA. IT(AV): 32A. IT(RSM) (TC=85°C): 50A. Es ist M: 580A. Anzahl der Terminals: 3. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-3P insulated. Betriebstemperatur: -40...+125°C. VDRM: 600V. Hinweis: Isolierung 2500V RMS. Spec info: Itsm--610Ap tp=8.3ms

Funktion: 50 Hz. Igt (max): 80mA. IT(RSM) (TC=85°C): 50A. Es ist M: 580A. Anzahl der Terminals: 3. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-3P. Betriebstemperatur: -40...+125°C. VDRM: 600V. Spec info: Itsm--610Ap tp=8.3ms

Funktion: 50 Hz. Igt (max): 80mA. Igt (Typ): 8mA. Ih (max): 150mA. IT(AV): 32A. IT(RSM) (TC=85°C): 50A. Es ist M: 580A. Anzahl der Terminals: 3. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-3P insulated. Betriebstemperatur: -40...+125°C. VDRM: 1000V. Hinweis: Isolierung 2500V RMS. Spec info: Itsm--610Ap tp=8.3ms

RoHS: NINCS. Komponentenfamilie: Thyristor. Gehäuse: TO-64 (10-32 UNF). Konfiguration: verschraubt. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: BTY79-800R. Spitzenspannung (repetitiv) Urrm [V]: 800V. Effektiver Strom (periodisch) Iav [A], max.: 10A. IP-Spitzenstrom (nicht repetitiv): 150A. Igm[A]: 30mA. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +125°C

Igt (max): 0.5mA. Igt (Typ): 0.015mA. Ih (max): 6mA. Ih (Typ): 0.19mA. IT(AV): 2.55A. IT(RSM) (TC=85°C): 4A. Es ist M: 20A. Anzahl der Terminals: 3. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-225AA. Betriebstemperatur: -40...+110°C. VDRM: 600V. Funktion: Sinuswelle, 50–60 Hz. Spec info: Sensitive Gate, Silicon Controlled Rectifier. Gehäuse: TO-126 (TO-225, SOT-32)

Gehäuse: TO-126. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: C106M1G. Spitzenspannung (repetitiv) Urrm [V]: 600V. Effektiver Strom (periodisch) Iav [A], max.: 4A. IP-Spitzenstrom (nicht repetitiv): 20A. Igm[A]: 500uA. Funktion: Thyristor für 50Hz-Anwendungen. IT(RSM) (TC=85°C): 4A. VDRM: 600V. Igt (max): 0.2mA. Betriebstemperaturbereich min (°C): -40°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +110°C

Pinbelegung: Lötanschlüsse. Igt (max): 90mA. Ih (max): 130mA. Hinweis: Gehäuse B2. IT(AV): 25A. Es ist M: 380A. Buchsengewinde: M6. Zusammenfassung: Thyristor. Montage/Installation: schrauben. Gehäuse: TO-48. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-208AA. Betriebstemperatur: -40...+125°C. VDRM: 1200V

Igt (max): 20mA. Igt (Typ): 20mA. Ih (max): 20mA. Ih (Typ): 20mA. IT(AV): 3A. Es ist M: 40A. Anzahl der Terminals: 3. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220. VDRM: 200V

Igt (max): 20mA. Igt (Typ): 20mA. Ih (max): 20mA. Ih (Typ): 20mA. IT(AV): 3A. Es ist M: 40A. Anzahl der Terminals: 3. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220. VDRM: 300V

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Hochleistungsthyristor. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-240AA. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: MCC26-16I08B. Spitzenspannung (repetitiv) Urrm [V]: 1.6 kV. Effektiver Strom (periodisch) Iav [A], max.: 2x50A. IP-Spitzenstrom (nicht repetitiv): 2x520A. Igm[A]: 200mA. Betriebstemperaturbereich min (°C): -40°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +125°C

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Hochleistungsthyristor. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-240AA. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: MCC26-16I08B. Spitzenspannung (repetitiv) Urrm [V]: 1800V. Effektiver Strom (periodisch) Iav [A], max.: 2 X 116A. IP-Spitzenstrom (nicht repetitiv): 2 X 2250A. Igm[A]: 200mA. Betriebstemperaturbereich min (°C): -40°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +100°C

Funktion: Sensitive Gate, Silicon Controlled Rectifiers. Igt (Typ): 0.2mA. Ih (Typ): 5mA. Hinweis: 50Hz-Thyristor. IT(AV): 0.6A. IT(RSM) (TC=85°C): 0.6A. Es ist M: 8mA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: CR08M. Anzahl der Terminals: 3. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Tgt: 1.25us. Gehäuse: SOT-223 ( TO-226 ). Gehäuse (laut Datenblatt): SOT-223. Betriebstemperatur: -40...+110°C. VDRM: 800V

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Thyristor. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-92. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: MCR100-6G. Spitzenspannung (repetitiv) Urrm [V]: 400V. Effektiver Strom (periodisch) Iav [A], max.: 0.4A. IP-Spitzenstrom (nicht repetitiv): 10A. Igm[A]: 200uA. Betriebstemperaturbereich min (°C): -40°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +110°C

Konditionierungseinheit: 500. Funktion: Rückwärtssperrender Thyristor. Igt (max): 0.5mA. Igt (Typ): 0.2mA. Ih (max): 5mA. IT(AV): 2.55A. IT(RSM) (TC=85°C): 4A. Es ist M: 25A. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: CR106-8G. Anzahl der Terminals: 3. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-225AA. Betriebstemperatur: -40...+110°C. VDRM: 600V. Spec info: 50Hz-Thyr.. Gehäuse: TO-126 (TO-225, SOT-32)