TK20J50D

TK20J50D. C(in): 2600pF. Kosten): 280pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: Diode. Trr-Diode (Min.): 1700 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Anwendungen von Schaltreglern. Id(imp): 80A. ID (T=25°C): 20A. IDSS (max): 10uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: K20J50D. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 280W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.22 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 150 ns. Td(on): 100 ns. Technologie: Feldeffekt-POWER-MOS-Typ (MOSVII). Gehäuse: TO-3PN ( 2-16C1B ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-3P. Spannung Vds(max): 500V. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. G-S-Schutz: NINCS. Bestandsmenge aktualisiert am 12/01/2025, 15:25.