TK6A65D

TK6A65D. C(in): 1050pF. Kosten): 100pF. Kanaltyp: N. Trr-Diode (Min.): 1300 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Schaltregler. Id(imp): 24A. ID (T=25°C): 6A. IDSS (max): 10uA. IDss (min): 10uA. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 45W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.95 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 75 ns. Td(on): 60 ns. Technologie: Feldeffekttransistor. Gehäuse: TO-220FP. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220F. Spannung Vds(max): 650V. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: NINCS. Bestandsmenge aktualisiert am 12/01/2025, 15:25.