Elektronische Komponenten und Geräte für Unternehmen und Privatpersonen
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TLP504A

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TLP504A. CTR: 50...600 %. Diode IF: 60mA. Courant ZF-Diode (Spitze): 1A. Diodenschwellenspannung: 1...1.3V. Kollektorstrom: 50mA. Ausgang: Transistorausgang. Pd (Verlustleistung, max): 150mW. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Tf (Typ): 3us. Gehäuse: DIP. Gehäuse (laut Datenblatt): DIP-8 (11-10C4). Tr: 2us. Betriebstemperatur: -25...+85°C. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 0.4V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 55V. VECO: 7V. Vrms: 2500VAC. Funktion: Programmierbare Steuerungen, AC/DC-Eingangsmodul. Spec info: GaAs Ired & Photo - Transistor. Bestandsmenge aktualisiert am 12/01/2025, 19:25.

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