Elektronische Komponenten und Geräte für Unternehmen und Privatpersonen
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TVS512

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TVS512. Hinweis: DO41 (3.7x4.5mm). Hinweis: Transildiode. Bestandsmenge aktualisiert am 12/01/2025, 19:25.

Technische Dokumentation

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Dielektrische Struktur: unidirektional. Halbleitermaterial: Silizium. Durchbruchspannung: 12V. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: DO-15. Gehäuse (laut Datenblatt): DO15 (3.5x6.5mm). Ubr [V] bei Ibr [A]: 12V @ 1mA. Ubr [V] bei Ibr [A]: 12.6V @ 1mA. Leckstrom beim Schließen Ir [A] @ Uz [V]: 5uA @ 10.2V. Maximale Verlustleistung (Impuls) Pp [W] @ t[ms]: 600W @ 1ms. Anzahl der Terminals: 2. Betriebstemperaturbereich min (°C): -50°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +175°C. Funktion: Transildiode, Überspannungsschutz
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Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: unidirektional. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Zenerdiode, Überspannungsschutz. Anzahl der Terminals: 2. Durchbruchspannung: 12V. Pd (Verlustleistung, max): 3.25W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: SOD-57 ( Glass ). Gehäuse (laut Datenblatt): SOD-57 ( 4.57x3.81mm ). Toleranz: 5%. Zenerspannung: 12V
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