Elektronische Komponenten und Geräte für Unternehmen und Privatpersonen
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UF4003

UF4003
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UF4003. Vorwärtsstrom (AV): 1A. Gehäuse: DO-41. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-41. VRRM: 200V. Halbleitermaterial: Silizium. Hinweis: GI-S. Anzahl der Terminals: 2. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Originalprodukt vom Hersteller Diotec Semiconductor. Bestandsmenge aktualisiert am 08/06/2025, 00:25.

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Vorwärtsstrom (AV): 1A. Gehäuse: DO-41. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-41. VRRM: 800V. Halbleiterm...
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Vorwärtsstrom (AV): 1A. Gehäuse: DO-41. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-41. VRRM: 800V. Halbleitermaterial: Silizium. Hinweis: GI-S. Anzahl der Terminals: 2. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage
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UF4007

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Vorwärtsstrom (AV): 1A. Gehäuse: DO-41. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-41. VRRM: 1000V. Halbleiter...
UF4007
Vorwärtsstrom (AV): 1A. Gehäuse: DO-41. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-41. VRRM: 1000V. Halbleitermaterial: Silizium. Hinweis: GI-S. Anzahl der Terminals: 2. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Ifsm [A]: 33A. Durchlassspannung Vfmax (V): 1.7V @ 1A. Schließspannung (wiederholend) Vrrm [V]: 1 kV. Leckstrom beim Schließen Ir [A]: 5uA..50uA. Schaltgeschwindigkeit (Regenerationszeit) tr [Sek.]: 75 ns. Betriebstemperaturbereich min (°C): -50°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +175°C
UF4007
Vorwärtsstrom (AV): 1A. Gehäuse: DO-41. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-41. VRRM: 1000V. Halbleitermaterial: Silizium. Hinweis: GI-S. Anzahl der Terminals: 2. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Ifsm [A]: 33A. Durchlassspannung Vfmax (V): 1.7V @ 1A. Schließspannung (wiederholend) Vrrm [V]: 1 kV. Leckstrom beim Schließen Ir [A]: 5uA..50uA. Schaltgeschwindigkeit (Regenerationszeit) tr [Sek.]: 75 ns. Betriebstemperaturbereich min (°C): -50°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +175°C
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BYV26C

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Vorwärtsstrom (AV): 1A. IFSM: 30A. Gehäuse: SOD-57 ( Glass ). Gehäuse (laut Datenblatt): SOD-57 G...
BYV26C
Vorwärtsstrom (AV): 1A. IFSM: 30A. Gehäuse: SOD-57 ( Glass ). Gehäuse (laut Datenblatt): SOD-57 Glass. VRRM: 600V. Cj: 40pF. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Trr-Diode (Min.): 30 ns. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: „Schnelle Soft-Recovery“. Anzahl der Terminals: 2. RoHS: ja. Spec info: IFSM--30Ap, t=10ms. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Betriebstemperatur: -65...+175°C. Schwellenspannung Vf (max): 2.5V. Durchlassspannung Vf (min): 1.3V
BYV26C
Vorwärtsstrom (AV): 1A. IFSM: 30A. Gehäuse: SOD-57 ( Glass ). Gehäuse (laut Datenblatt): SOD-57 Glass. VRRM: 600V. Cj: 40pF. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Trr-Diode (Min.): 30 ns. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: „Schnelle Soft-Recovery“. Anzahl der Terminals: 2. RoHS: ja. Spec info: IFSM--30Ap, t=10ms. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Betriebstemperatur: -65...+175°C. Schwellenspannung Vf (max): 2.5V. Durchlassspannung Vf (min): 1.3V
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Vorwärtsstrom (AV): 1A. IFSM: 27A. Gehäuse: DO-213. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-213AB ( 2.5x5mm...
SUF4003
Vorwärtsstrom (AV): 1A. IFSM: 27A. Gehäuse: DO-213. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-213AB ( 2.5x5mm ). VRRM: 200V. Konditionierung: Rolle. Konditionierungseinheit: 5000. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Trr-Diode (Min.): 50 ns. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Ultrafast silicon rectifier diode. Anzahl der Terminals: 2. RoHS: ja. Spec info: IFSM--27Ap. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Betriebstemperatur: -55...+150°C. Schwellenspannung Vf (max): 1V. Durchlassspannung Vf (min): 1V
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Vorwärtsstrom (AV): 1A. IFSM: 27A. Gehäuse: DO-213. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-213AB ( 2.5x5mm ). VRRM: 200V. Konditionierung: Rolle. Konditionierungseinheit: 5000. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Trr-Diode (Min.): 50 ns. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Ultrafast silicon rectifier diode. Anzahl der Terminals: 2. RoHS: ja. Spec info: IFSM--27Ap. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Betriebstemperatur: -55...+150°C. Schwellenspannung Vf (max): 1V. Durchlassspannung Vf (min): 1V
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Vorwärtsstrom (AV): 1A. Gehäuse: DO-41. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-41. VRRM: 600V. Halbleitermaterial: Silizium. Hinweis: GI-S. Anzahl der Terminals: 2. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage
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Vorwärtsstrom (AV): 1A. Gehäuse: DO-41. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-41. VRRM: 600V. Halbleitermaterial: Silizium. Hinweis: GI-S. Anzahl der Terminals: 2. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage
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