VNB10N07

Menge	exkl. MwSt	inkl. MwSt
1 - 4	4.40€	5.28€
5 - 9	4.18€	5.02€
10 - 24	3.96€	4.75€
25 - 49	3.74€	4.49€
50 - 89	2.90€	3.48€

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Set mit 1

VNB10N07. RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, N-MOS. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: D²-PAK. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-263. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: VNB10N07. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 70V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 10A. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.1 Ohms @ 5A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 3V. Einschaltzeit ton [nsec.]: 100 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 900ns. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 50W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +135°C. Bestandsmenge aktualisiert am 12/01/2025, 15:25.

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