VNB35N07E

Menge	exkl. MwSt	inkl. MwSt
1 - 1	9.30€	11.16€
2 - 2	8.84€	10.61€
3 - 4	8.37€	10.04€
5 - 9	7.91€	9.49€
10 - 19	7.72€	9.26€
20 - 29	7.54€	9.05€
30 - 70	7.26€	8.71€

Menge	U.P
1 - 1	9.30€	11.16€
2 - 2	8.84€	10.61€
3 - 4	8.37€	10.04€
5 - 9	7.91€	9.49€
10 - 19	7.72€	9.26€
20 - 29	7.54€	9.05€
30 - 70	7.26€	8.71€

Lieferung in 2-3 Tagen, mit Postverfolgung!

Menge auf Lager : 70

Set mit 1

VNB35N07E. RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, N-MOS. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: D²-PAK. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-263. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: VNB35N07-E. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 70V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 35A. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.028 Ohms @ 18A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 3V. Einschaltzeit ton [nsec.]: 200 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 800 ns. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 125W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +135°C. Bestandsmenge aktualisiert am 12/01/2025, 15:25.

Technische Dokumentation

Informationen und technische Hilfe

Telefonisch :

Per E-Mail

Verkaufsbedingungen

Zahlungs-und Lieferbedingungen

Lieferung in 2-3 Tagen, mit Postverfolgung!