Menge | exkl. MwSt | inkl. MwSt |
---|---|---|
1 - 4 | 1.45€ | 1.74€ |
5 - 9 | 1.38€ | 1.66€ |
10 - 24 | 1.30€ | 1.56€ |
25 - 49 | 1.23€ | 1.48€ |
50 - 99 | 1.20€ | 1.44€ |
100 - 249 | 1.17€ | 1.40€ |
250 - 913 | 1.12€ | 1.34€ |
Menge | U.P | |
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1 - 4 | 1.45€ | 1.74€ |
5 - 9 | 1.38€ | 1.66€ |
10 - 24 | 1.30€ | 1.56€ |
25 - 49 | 1.23€ | 1.48€ |
50 - 99 | 1.20€ | 1.44€ |
100 - 249 | 1.17€ | 1.40€ |
250 - 913 | 1.12€ | 1.34€ |
VNN1NV04PTR. Kanaltyp: N. Transistortyp: MOSFET. ID (T=25°C): 1.7A. IDSS (max): 75uA. IDss (min): 30uA. Pd (Verlustleistung, max): 7W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.25 Ohms. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Technologie: OMNIFET II fully autoprotected Power MOSFET. Gehäuse: SOT-223 ( TO-226 ). Gehäuse (laut Datenblatt): SOT-223. Spannung Vds(max): 45V. Menge pro Karton: 1. Hinweis: Siebdruck/SMD-Code 1NV04P. Bestandsmenge aktualisiert am 12/01/2025, 15:25.
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