VNP10N07

VNP10N07. Kosten): 350pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: Zenerdiode. Trr-Diode (Min.): 125 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Vollständig automatisch geschützter Power-Mosfet. G-S-Schutz: Zenerdiode. Id(imp): 14A. ID (T=25°C): 10A. IDSS (max): 200uA. IDss (min): 50uA. IGF: 50mA. Pd (Verlustleistung, max): 50W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.10 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 230 ns. Td(on): 50 ns. Technologie: OMNIFET. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Spannung Vds(max): 70V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. Spec info: Lineare Strombegrenzung. Bestandsmenge aktualisiert am 12/01/2025, 15:25.