VNS3NV04DPTR-E

Menge	exkl. MwSt	inkl. MwSt
1 - 4	3.45€	4.14€
5 - 9	3.27€	3.92€
10 - 24	3.10€	3.72€
25 - 49	2.93€	3.52€
50 - 90	2.86€	3.43€

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Set mit 1

VNS3NV04DPTR-E. Kanaltyp: N. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 107ns. Transistortyp: MOSFET. ID (T=25°C): 3.5A. IDSS (max): 75uA. IDss (min): 30uA. Hinweis: Siebdruck/SMD-Code S3NV04DP. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: S3NV04DP. Pd (Verlustleistung, max): 4W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.12 Ohms. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Td(off): 450 ns. Td(on): 90 ns. Technologie: OMNIFET II fully autoprotected Power MOSFET. Gehäuse: SO. Gehäuse (laut Datenblatt): SO-8. Spannung Vds(max): 45V. Bestandsmenge aktualisiert am 12/01/2025, 15:25.

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