Menge | exkl. MwSt | inkl. MwSt |
---|---|---|
1 - 4 | 2.52€ | 3.02€ |
5 - 9 | 2.39€ | 2.87€ |
10 - 24 | 2.27€ | 2.72€ |
25 - 49 | 2.14€ | 2.57€ |
50 - 99 | 2.09€ | 2.51€ |
100 - 249 | 2.04€ | 2.45€ |
250+ | 1.94€ | 2.33€ |
Menge | U.P | |
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1 - 4 | 2.52€ | 3.02€ |
5 - 9 | 2.39€ | 2.87€ |
10 - 24 | 2.27€ | 2.72€ |
25 - 49 | 2.14€ | 2.57€ |
50 - 99 | 2.09€ | 2.51€ |
100 - 249 | 2.04€ | 2.45€ |
250+ | 1.94€ | 2.33€ |
ZTX649. Kosten): 50pF. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 240 MHz. Maximaler hFE-Gewinn: 300. Minimaler hFE-Gewinn: 15. Kollektorstrom: 2A. Ic(Impuls): 6A. Pd (Verlustleistung, max): 1W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: PLANAR TRANSISTOR. Gehäuse: TO-92. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-92. Transistortyp: NPN. Betriebstemperatur: -55...+200°C. VCBO: 35V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.23V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 25V. Vebo: 5V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS. Bestandsmenge aktualisiert am 12/01/2025, 12:25.
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