Elektronische Komponenten und Geräte für Unternehmen und Privatpersonen

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10A10. Cj: 120pF. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Trr-Diode (Min.): 1500 ns. Halbleitermaterial: Silizium. Vorwärtsstrom (AV): 10A. IFSM: 400A. MRT (maximal): 100uA. MRT (min): 10uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: 28.7k Ohms. Äquivalente: P1000M, 10A07-TP. Anzahl der Terminals: 2. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: R-6. Gehäuse (laut Datenblatt): R-6 ( 8.9x8.8mm ). Betriebstemperatur: -55...+150°C. Schwellenspannung Vf (max): 1V. Durchlassspannung Vf (min): 1V. VRRM: 1000V. Spec info: IFSM--400Ap t=8.3ms. Bestandsmenge aktualisiert am 12/01/2025, 14:25.

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Cj: 70pF. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Trr-Diode (Min.): 1500 ns. Hal...
P1000M
Cj: 70pF. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Trr-Diode (Min.): 1500 ns. Halbleitermaterial: Silizium. Vorwärtsstrom (AV): 10A. IFSM: 400A. MRT (min): 10uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: P1000M. Anzahl der Terminals: 2. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: R-6. Gehäuse (laut Datenblatt): R-6 ( 8x7.5mm ). Betriebstemperatur: -50...+175°C. Schwellenspannung Vf (max): 1.05V. Durchlassspannung Vf (min): 0.9V. VRRM: 1000V. Spec info: IFSM--800Ap t=10mS
P1000M
Cj: 70pF. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Trr-Diode (Min.): 1500 ns. Halbleitermaterial: Silizium. Vorwärtsstrom (AV): 10A. IFSM: 400A. MRT (min): 10uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: P1000M. Anzahl der Terminals: 2. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: R-6. Gehäuse (laut Datenblatt): R-6 ( 8x7.5mm ). Betriebstemperatur: -50...+175°C. Schwellenspannung Vf (max): 1.05V. Durchlassspannung Vf (min): 0.9V. VRRM: 1000V. Spec info: IFSM--800Ap t=10mS
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