Menge | exkl. MwSt | inkl. MwSt |
---|---|---|
1 - 4 | 0.89€ | 1.07€ |
5 - 9 | 0.85€ | 1.02€ |
10 - 24 | 0.69€ | 0.83€ |
25 - 49 | 0.65€ | 0.78€ |
50 - 99 | 0.56€ | 0.67€ |
100 - 249 | 0.55€ | 0.66€ |
250 - 884 | 0.48€ | 0.58€ |
Menge | U.P | |
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1 - 4 | 0.89€ | 1.07€ |
5 - 9 | 0.85€ | 1.02€ |
10 - 24 | 0.69€ | 0.83€ |
25 - 49 | 0.65€ | 0.78€ |
50 - 99 | 0.56€ | 0.67€ |
100 - 249 | 0.55€ | 0.66€ |
250 - 884 | 0.48€ | 0.58€ |
P1000M. Cj: 70pF. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Trr-Diode (Min.): 1500 ns. Halbleitermaterial: Silizium. Vorwärtsstrom (AV): 10A. IFSM: 400A. MRT (min): 10uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: P1000M. Anzahl der Terminals: 2. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: R-6. Gehäuse (laut Datenblatt): R-6 ( 8x7.5mm ). Betriebstemperatur: -50...+175°C. Schwellenspannung Vf (max): 1.05V. Durchlassspannung Vf (min): 0.9V. VRRM: 1000V. Spec info: IFSM--800Ap t=10mS. Bestandsmenge aktualisiert am 12/01/2025, 19:25.
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