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1N5367B

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1N5367B. Halbleitermaterial: Silizium. Anzahl der Terminals: 2. Pd (Verlustleistung, max): 5W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: DO-201. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-201. VRRM: 43V. Bestandsmenge aktualisiert am 12/01/2025, 19:25.