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1N5381B

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Set mit 1

1N5381B. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Halbleitermaterial: Silizium. Pd (Verlustleistung, max): 5W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: DO-201. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-201. Toleranz: 5%. Zenerspannung: 130V. Anzahl der Terminals: 2. Menge pro Karton: 1. Bestandsmenge aktualisiert am 12/01/2025, 19:25.