2N3055-PMC
| Menge | exkl. MwSt | inkl. MwSt |
|---|---|---|
| 1 - 4 | 1.89€ | 2.27€ |
| 5 - 9 | 1.80€ | 2.16€ |
| 10 - 24 | 1.70€ | 2.04€ |
| 25 - 42 | 1.61€ | 1.93€ |
| Menge | U.P | |
|---|---|---|
| 1 - 4 | 1.89€ | 2.27€ |
| 5 - 9 | 1.80€ | 2.16€ |
| 10 - 24 | 1.70€ | 2.04€ |
| 25 - 42 | 1.61€ | 1.93€ |
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2N3055-PMC. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 2.5 MHz. Maximaler hFE-Gewinn: 70. Minimaler hFE-Gewinn: 20. Kollektorstrom: 15A. Anzahl der Terminals: 2. Pd (Verlustleistung, max): 115W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: TO-3 ( TO-204 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-3. Transistortyp: NPN. VCBO: 100V. Sättigungsspannung VCE(sat): 1.1V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 70V. Vebo: 7V. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) MJ2955. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS. Bestandsmenge aktualisiert am 12/01/2025, 10:25.
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Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 2.5 MHz. Funktion: Audioverstärker linear und schaltend. Maximaler hFE-Gewinn: 70. Minimaler hFE-Gewinn: 20. Kollektorstrom: 15A. Anzahl der Terminals: 2. Temperatur: +200°C. Pd (Verlustleistung, max): 115W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: „Planartechnologie auf Epitaxiebasis“. Gehäuse: TO-3 ( TO-204 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-3. Transistortyp: NPN. VCBO: 100V. Sättigungsspannung VCE(sat): 1V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 70V. Vebo: 7V. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) MJ2955. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS
Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 2.5 MHz. Funktion: Audioverstärker linear und schaltend. Maximaler hFE-Gewinn: 70. Minimaler hFE-Gewinn: 20. Kollektorstrom: 15A. Anzahl der Terminals: 2. Temperatur: +200°C. Pd (Verlustleistung, max): 115W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: „Planartechnologie auf Epitaxiebasis“. Gehäuse: TO-3 ( TO-204 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-3. Transistortyp: NPN. VCBO: 100V. Sättigungsspannung VCE(sat): 1V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 70V. Vebo: 7V. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) MJ2955. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS
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