NPN-Transistor, TO-92, TO-92, 40V, TO92, 40V - 2N3904

NPN-Transistor, TO-92, TO-92, 40V, TO92, 40V - 2N3904. NPN-Transistor, TO-92, TO-92, 40V, TO92, 40V. Gehäuse: TO-92. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-92. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 40V. Gehäuse: TO92. Kollektor-Emitter-Spannung VCEO: 40V. RoHS: ja. Ic(Impuls): 200mA. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 0.5W. Spec info: hFE 100-300 (IC=10mAdc, VCE=1.0Vdc). Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: „Epitaxial-Planar-Die-Konstruktion“. Tf(max): 75 ns. Transistortyp: NPN. Betriebstemperatur: -55...+150°C. VCBO: 60V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.25V. Vebo: 5V. Typ: Standard. Polarität: NPN. Leistung: 0.625W. Collector-Base-Spannung VCBO: 60V. Montageart: Leiterplattendurchsteckmontage. Bandbreite MHz: 270MHz. DC -Kollektor/Basisgewinn hfe min.: 30. Strom max 1: 0.2A. Max.Voltage IGBT VRSM: Schalttransistor. Information: 300. Serie: 2N. MSL: 100mA. Bestandsmenge aktualisiert am 23/07/2025, 10:25.