Elektronische Komponenten und Geräte für Unternehmen und Privatpersonen

2N5415

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Menge exkl. MwSt inkl. MwSt
1 - 4 0.95€ 1.14€
5 - 9 0.90€ 1.08€
10 - 24 0.85€ 1.02€
25 - 49 0.80€ 0.96€
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Set mit 1

2N5415. C(in): 75pF. Kosten): 15pF. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 15 MHz. Maximaler hFE-Gewinn: 150. Minimaler hFE-Gewinn: 30. Kollektorstrom: 1A. Anzahl der Terminals: 3. Temperatur: +200°C. Pd (Verlustleistung, max): 1W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: TO-39 ( TO-205 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-39. Transistortyp: PNP. VCBO: 200V. Sättigungsspannung VCE(sat): 2.5V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 200V. Vebo: 4 v. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS. Bestandsmenge aktualisiert am 12/01/2025, 12:25.

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