2N6517

Menge	exkl. MwSt	inkl. MwSt
1 - 9	0.26€	0.31€
10 - 24	0.25€	0.30€
25 - 49	0.23€	0.28€
50 - 99	0.22€	0.26€
100 - 249	0.21€	0.25€
250 - 345	0.18€	0.22€

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Set mit 1

2N6517. Kosten): 6pF. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 40MHz (min), 200MHz (max). Maximaler hFE-Gewinn: 200. Minimaler hFE-Gewinn: 20. Kollektorstrom: 0.5A. Pd (Verlustleistung, max): 0.625W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: NPN-Epitaxie-Siliziumtransistor. Gehäuse: TO-92. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-92. Transistortyp: NPN. VCBO: 350V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.3V. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 1V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 350V. Vebo: 6V. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) 2N6520. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS. Bestandsmenge aktualisiert am 12/01/2025, 15:25.

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