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Halbleiter Transistoren

2N6520

2N6520

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Set mit 10

2N6520. Gehäuse: TO-92. Widerstand B: Leistungstransistor. BE-Widerstand: -350V. C(in): 100pF. Kosten): 6pF. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 200 MHz. Maximaler hFE-Gewinn: 200. Minimaler hFE-Gewinn: 15. Kollektorstrom: 0.5A. Pd (Verlustleistung, max): 0.625W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-92. Transistortyp: PNP. VCBO: 350V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.3V. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 1V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 350V. Vebo: 5V. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) 2N6517. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS. Bestandsmenge aktualisiert am 12/01/2025, 15:25.

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