Elektronische Komponenten und Geräte für Unternehmen und Privatpersonen
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2N7000-ONS

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2N7000-ONS. C(in): 60pF. Kosten): 25pF. Kanaltyp: N. Menge pro Karton: 1. Transistortyp: MOSFET. Id(imp): 0.5A. ID (T=25°C): 0.2A. IDSS (max): 1000uA. IDss (min): 1uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: 2n7000. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 0.35W. Einschaltwiderstand Rds On: 5 Ohms. Gewicht: 0.18g. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 10 ns. Td(on): 10 ns. Gehäuse: TO-92. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-92. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Spannung Vds(max): 60V. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 3V. Vgs(th) min.: 0.8V. Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: NINCS. Bestandsmenge aktualisiert am 12/01/2025, 15:25.

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