Elektronische Komponenten und Geräte für Unternehmen und Privatpersonen
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1N5408

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1N5408. Cj: 40pF. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Trr-Diode (Min.): 5us. Halbleitermaterial: Silizium. Vorwärtsstrom (AV): 3A. IFSM: 200A. MRT (maximal): 500uA. MRT (min): 5uA. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: DO-27. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-27 ( 9.2x5.2mm ). Betriebstemperatur: -65...+175°C. Schwellenspannung Vf (max): 1.1V. Durchlassspannung Vf (min): 1.1V. VRRM: 1000V. Anzahl der Terminals: 2. Menge pro Karton: 1. Spec info: IFSM--200Ap t=8.3ms. Bestandsmenge aktualisiert am 12/01/2025, 19:25.

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