Elektronische Komponenten und Geräte für Unternehmen und Privatpersonen
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1N4007

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1N4007. RoHS: ja. Gehäuse: DO-41. Komponentenfamilie: Standard-Gleichrichterdiode. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse (JEDEC-Standard): DO-204AC. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 2. Vorwärtsstrom [A]: 1A. Ifsm [A]: 30A. Durchlassspannung Vfmax (V): 1.1V @ 1A. Schließspannung (wiederholend) Vrrm [V]: 1 kV. Leckstrom beim Schließen Ir [A]: 5uA..50uA. Betriebstemperaturbereich min (°C): -50°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +175°C. Originalprodukt vom Hersteller Diotec. Bestandsmenge aktualisiert am 04/09/2025, 04:56.

Technische Dokumentation

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BY133

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Gehäuse: DO-41. Vorwärtsstrom (AV): 1A. IFSM: 30A. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-41 ( 2.6x4.8mm )...
BY133
Gehäuse: DO-41. Vorwärtsstrom (AV): 1A. IFSM: 30A. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-41 ( 2.6x4.8mm ). VRRM: 1300V. RoHS: ja. Cj: 15pF. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Trr-Diode (Min.): DO-41. Halbleitermaterial: Silizium. MRT (maximal): 500uA. MRT (min): 5uA. Anzahl der Terminals: 2. Spec info: IFSM--30Ap t=8.3mS. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Betriebstemperatur: -65...+175°C. Schwellenspannung Vf (max): 1.1V. Durchlassspannung Vf (min): 1.1V
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Gehäuse: DO-41. Vorwärtsstrom (AV): 1A. IFSM: 30A. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-41 ( 2.6x4.8mm ). VRRM: 1300V. RoHS: ja. Cj: 15pF. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Trr-Diode (Min.): DO-41. Halbleitermaterial: Silizium. MRT (maximal): 500uA. MRT (min): 5uA. Anzahl der Terminals: 2. Spec info: IFSM--30Ap t=8.3mS. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Betriebstemperatur: -65...+175°C. Schwellenspannung Vf (max): 1.1V. Durchlassspannung Vf (min): 1.1V
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Vorwärtsstrom (AV): 1A. IFSM: 27A. Gehäuse: DO-213. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-213AB ( 2.5x5mm ). VRRM: 1000V. Konditionierung: Rolle. Konditionierungseinheit: 5000. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Trr-Diode (Min.): 75 ns. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Ultrafast silicon rectifier diode. Anzahl der Terminals: 2. RoHS: ja. Spec info: IFSM--27Ap. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Betriebstemperatur: -55...+150°C. Schwellenspannung Vf (max): 1.7V. Durchlassspannung Vf (min): 1.7V
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Vorwärtsstrom (AV): 1A. IFSM: 27A. Gehäuse: DO-213. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-213AB ( 2.5x5mm ). VRRM: 1000V. Konditionierung: Rolle. Konditionierungseinheit: 5000. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Trr-Diode (Min.): 75 ns. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Ultrafast silicon rectifier diode. Anzahl der Terminals: 2. RoHS: ja. Spec info: IFSM--27Ap. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Betriebstemperatur: -55...+150°C. Schwellenspannung Vf (max): 1.7V. Durchlassspannung Vf (min): 1.7V
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Vorwärtsstrom (AV): 1A. IFSM: 30A. Gehäuse: DO-41. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-41 ( 5.2x2.7 ). ...
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Vorwärtsstrom (AV): 1A. IFSM: 30A. Gehäuse: DO-41. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-41 ( 5.2x2.7 ). VRRM: 1600V. Cj: 15pF. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Halbleitermaterial: Silizium. MRT (maximal): 500uA. MRT (min): 5uA. Anzahl der Terminals: 2. RoHS: ja. Spec info: 30Ap. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Betriebstemperatur: -65...+175°C. Schwellenspannung Vf (max): 1.1V. Durchlassspannung Vf (min): 1.1V
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Vorwärtsstrom (AV): 1A. IFSM: 30A. Gehäuse: DO-41. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-41 ( 5.2x2.7 ). VRRM: 1600V. Cj: 15pF. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Halbleitermaterial: Silizium. MRT (maximal): 500uA. MRT (min): 5uA. Anzahl der Terminals: 2. RoHS: ja. Spec info: 30Ap. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Betriebstemperatur: -65...+175°C. Schwellenspannung Vf (max): 1.1V. Durchlassspannung Vf (min): 1.1V
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