Elektronische Komponenten und Geräte für Unternehmen und Privatpersonen
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1N4007

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1N4007. VRRM: 1000V. Cj: 15pF. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Halbleitermaterial: Silizium. Vorwärtsstrom (AV): 1A. IFSM: 30A. Anzahl der Terminals: 2. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: DO-41. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-41 ( 5.2X2.7mm ). Betriebstemperatur: -65...+175°C. Schwellenspannung Vf (max): 1.1V. Durchlassspannung Vf (min): 1.1V. Spec info: 30Ap/8.3ms. Bestandsmenge aktualisiert am 12/01/2025, 14:25.

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RoHS: ja. Gehäuse: DO-41. Cj: 15pF. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Trr-Diode (Min.): DO-41. Halbleitermaterial: Silizium. Vorwärtsstrom (AV): 1A. IFSM: 30A. MRT (maximal): 500uA. MRT (min): 5uA. Anzahl der Terminals: 2. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-41 ( 2.6x4.8mm ). Betriebstemperatur: -65...+175°C. Schwellenspannung Vf (max): 1.1V. Durchlassspannung Vf (min): 1.1V. VRRM: 1300V. Spec info: IFSM--30Ap t=8.3mS
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RoHS: ja. Gehäuse: DO-41. Cj: 15pF. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Trr-Diode (Min.): DO-41. Halbleitermaterial: Silizium. Vorwärtsstrom (AV): 1A. IFSM: 30A. MRT (maximal): 500uA. MRT (min): 5uA. Anzahl der Terminals: 2. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-41 ( 2.6x4.8mm ). Betriebstemperatur: -65...+175°C. Schwellenspannung Vf (max): 1.1V. Durchlassspannung Vf (min): 1.1V. VRRM: 1300V. Spec info: IFSM--30Ap t=8.3mS
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Cj: 15pF. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Halbleitermaterial: Silizium. Vorwärtsstrom (AV): 1A. IFSM: 30A. MRT (maximal): 500uA. MRT (min): 5uA. Anzahl der Terminals: 2. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: DO-41. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-41 ( 5.2x2.7 ). Betriebstemperatur: -65...+175°C. Schwellenspannung Vf (max): 1.1V. Durchlassspannung Vf (min): 1.1V. VRRM: 1600V. Spec info: 30Ap
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