Menge | exkl. MwSt | inkl. MwSt |
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1 - 9 | 0.23€ | 0.28€ |
10 - 24 | 0.22€ | 0.26€ |
25 - 49 | 0.20€ | 0.24€ |
50 - 99 | 0.19€ | 0.23€ |
100 - 180 | 0.18€ | 0.22€ |
Menge | U.P | |
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1 - 9 | 0.23€ | 0.28€ |
10 - 24 | 0.22€ | 0.26€ |
25 - 49 | 0.20€ | 0.24€ |
50 - 99 | 0.19€ | 0.23€ |
100 - 180 | 0.18€ | 0.22€ |
2SA1015GR. Kosten): 4pF. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 80 MHz. Funktion: Audioverstärker. Maximaler hFE-Gewinn: 400. Minimaler hFE-Gewinn: 200. Kollektorstrom: 0.15A. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 0.4W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: „Epitaktischer Typ (PCT-Prozess)“. Gehäuse: TO-92. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-92, 2-5F1B. Transistortyp: PNP. Betriebstemperatur: -...+125°C. VCBO: 50V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.1V. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 0.3V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 50V. Vebo: 5V. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) 2SC1162. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS. Bestandsmenge aktualisiert am 12/01/2025, 15:25.
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