NPN-Transistor, 0.15A, TO-92, TO-92, 50V - 2SA1015Y

NPN-Transistor, 0.15A, TO-92, TO-92, 50V - 2SA1015Y. NPN-Transistor, 0.15A, TO-92, TO-92, 50V. Kollektorstrom: 0.15A. Gehäuse: TO-92. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-92. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 50V. BE-Diode: NINCS. Kosten): 4pF. CE-Diode: NINCS. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 80 MHz. Funktion: hFE.120-240. Maximaler hFE-Gewinn: 240. Minimaler hFE-Gewinn: 120. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: 1015 Y. Anzahl der Terminals: 3. Temperatur: +125°C. Pd (Verlustleistung, max): 0.4W. RoHS: ja. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) 2SC1815Y. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: „Epitaktischer Typ (PCT-Prozess)“. Transistortyp: PNP. Betriebstemperatur: -...+125°C. VCBO: 50V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.1V. Vebo: 5V. Originalprodukt vom Hersteller Toshiba. Bestandsmenge aktualisiert am 07/06/2025, 17:25.