2SA1123

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1 - 4	1.01€	1.21€
5 - 6	0.96€	1.15€

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Set mit 1

2SA1123. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 200 MHz. Maximaler hFE-Gewinn: 220. Minimaler hFE-Gewinn: 130. Kollektorstrom: 50mA. Ic(Impuls): 100mA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: A1123. Anzahl der Terminals: 3. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 0.75W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: „Epitaxie-Planertyp“. Gehäuse: TO-92. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-92. Transistortyp: PNP. VCBO: 150V. Sättigungsspannung VCE(sat): 1V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 150V. Vebo: 5V. Bestandsmenge aktualisiert am 12/01/2025, 15:25.

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