Elektronische Komponenten und Geräte für Unternehmen und Privatpersonen
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2SA1209

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2SA1209. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 150 MHz. Funktion: Schnelle Schaltgeschwindigkeit. Maximaler hFE-Gewinn: 400. Minimaler hFE-Gewinn: 100. Kollektorstrom: 140mA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: A1209. Anzahl der Terminals: 3. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 10W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Tf(max): 0.1us. Tf(min): 0.1us. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-126. Transistortyp: PNP. VCBO: 180V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.4V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 160V. Vebo: 5V. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) 2SC2911. Gehäuse: TO-126 (TO-225, SOT-32). Bestandsmenge aktualisiert am 12/01/2025, 15:25.

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