Menge | exkl. MwSt | inkl. MwSt |
---|---|---|
1 - 4 | 2.29€ | 2.75€ |
5 - 9 | 2.17€ | 2.60€ |
10 - 19 | 2.06€ | 2.47€ |
Menge | U.P | |
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1 - 4 | 2.29€ | 2.75€ |
5 - 9 | 2.17€ | 2.60€ |
10 - 19 | 2.06€ | 2.47€ |
2SA1265. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 30 MHz. Funktion: HI-FI, NF-E. Kollektorstrom: 10A. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 100W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: TO-3P ( TO3P ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-3P. Transistortyp: PNP. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 140V. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) 2SC3182. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS. Bestandsmenge aktualisiert am 12/01/2025, 15:25.
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