NPN-Transistor, 1A, TO-220FP, 2-10R1A, 230V - 2SA1837

NPN-Transistor, 1A, TO-220FP, 2-10R1A, 230V - 2SA1837. NPN-Transistor, 1A, TO-220FP, 2-10R1A, 230V. Kollektorstrom: 1A. Gehäuse: TO-220FP. Gehäuse (laut Datenblatt): 2-10R1A. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 230V. BE-Diode: NINCS. Kosten): 30pF. CE-Diode: NINCS. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 70 MHz. Funktion: NF-L. Maximaler hFE-Gewinn: 320. Minimaler hFE-Gewinn: 100. Pd (Verlustleistung, max): 20W. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) 2SC4793. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: PNP. VCBO: 230V. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 1.5V. Vebo: 5V. Originalprodukt vom Hersteller Korea Electronics Semi.. Bestandsmenge aktualisiert am 06/06/2025, 23:25.