2SB1123T

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2SB1123T. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 150 MHz. Maximaler hFE-Gewinn: 400. Minimaler hFE-Gewinn: 200. Kollektorstrom: 2A. Hinweis: Siebdruck/SMD-Code BF. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: BF. Pd (Verlustleistung, max): 0.5W. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Gehäuse: SOT-89. Gehäuse (laut Datenblatt): SOT-89. Transistortyp: PNP. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 60V. Funktion: Mittlere Leistung, Magnet-, Relais- und Aktuatortreiber und DC/DC-Module. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) 2SD1623T. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS. Bestandsmenge aktualisiert am 12/01/2025, 19:25.

Technische Dokumentation

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