2SB1132

Menge	exkl. MwSt	inkl. MwSt
1 - 4	0.81€	0.97€
5 - 9	0.77€	0.92€
10 - 24	0.73€	0.88€
25 - 49	0.69€	0.83€
50 - 89	0.67€	0.80€

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Set mit 1

2SB1132. Kosten): 20pF. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 150 MHz. Maximaler hFE-Gewinn: 390. Minimaler hFE-Gewinn: 180. Kollektorstrom: 1A. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: BA. Pd (Verlustleistung, max): 0.5W. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Gehäuse: SOT-89. Gehäuse (laut Datenblatt): SOT-89 (SC-62). Transistortyp: PNP. VCBO: 40V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.2V. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 0.5V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 32V. Vebo: 5V. Spec info: SMD BA0. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS. Bestandsmenge aktualisiert am 13/01/2025, 00:25.

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