Elektronische Komponenten und Geräte für Unternehmen und Privatpersonen
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2SB1185

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2SB1185. Kosten): 50pF. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 70 MHz. Funktion: NF-E-L. Maximaler hFE-Gewinn: 320. Minimaler hFE-Gewinn: 60. Kollektorstrom: 3A. Pd (Verlustleistung, max): 25W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: „Epitaktischer planarer Typ“. Gehäuse: TO-220FP. Gehäuse (laut Datenblatt): SC-67. Transistortyp: PNP. VCBO: 60V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.5V. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 1V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 50V. Vebo: 5V. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS. Bestandsmenge aktualisiert am 13/01/2025, 00:25.

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