Elektronische Komponenten und Geräte für Unternehmen und Privatpersonen
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BD241C

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BD241C. Gehäuse: TO-220. Transistortyp: NPN Leistungstransistor. Polarität: NPN. Kollektor-Emitter-Spannung VCEO: 100V. Kollektorstrom: 3A. Leistung: 40W. Max Frequenz: 3MHz. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 3 MHz. Funktion: NF-L. Maximaler hFE-Gewinn: 25. Minimaler hFE-Gewinn: 10. Kollektorstrom: 5A. Ic(Impuls): 8A. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 40W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220. Transistortyp: NPN. Betriebstemperatur: -65...+150°C. VCBO: 115V. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 1.2V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 100V. Vebo: 5V. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) BD242C. Bestandsmenge aktualisiert am 12/01/2025, 19:25.

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Gleichwertige Produkte :

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TIP32C

TIP32C

Kosten): 160pF. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 3 MHz. Funktion: PNP TRANS 100V 3. Produktionsdatu...
TIP32C
Kosten): 160pF. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 3 MHz. Funktion: PNP TRANS 100V 3. Produktionsdatum: 201448. Kollektorstrom: 3A. Pd (Verlustleistung, max): 40W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220. Transistortyp: PNP. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 115V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) TIP31C. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS
TIP32C
Kosten): 160pF. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 3 MHz. Funktion: PNP TRANS 100V 3. Produktionsdatum: 201448. Kollektorstrom: 3A. Pd (Verlustleistung, max): 40W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220. Transistortyp: PNP. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 115V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) TIP31C. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS
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BD241C-ST

BD241C-ST

Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 3 MHz. Funktion: NF-L. Maximaler hFE-Gewinn: ...
BD241C-ST
Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 3 MHz. Funktion: NF-L. Maximaler hFE-Gewinn: 25. Minimaler hFE-Gewinn: 10. Kollektorstrom: 3A. Ic(Impuls): 5A. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 40W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220. Transistortyp: NPN. Betriebstemperatur: -65...+150°C. VCBO: 115V. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 1.2V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 100V. Vebo: 5V. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) BD242C. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS
BD241C-ST
Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 3 MHz. Funktion: NF-L. Maximaler hFE-Gewinn: 25. Minimaler hFE-Gewinn: 10. Kollektorstrom: 3A. Ic(Impuls): 5A. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 40W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220. Transistortyp: NPN. Betriebstemperatur: -65...+150°C. VCBO: 115V. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 1.2V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 100V. Vebo: 5V. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) BD242C. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS
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