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Halbleiter Transistoren

2SB1342

2SB1342

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2SB1342. Darlington-Transistor?: ja. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 12 MHz. Maximaler hFE-Gewinn: 10000. Minimaler hFE-Gewinn: 1000. Kollektorstrom: 4A. Ic(Impuls): 6A. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 30W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: TO-220FP. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220F. Transistortyp: PNP. VCBO: 80V. Sättigungsspannung VCE(sat): 1V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 80V. Vebo: 7V. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) 2SD1933. Bestandsmenge aktualisiert am 13/01/2025, 00:25.

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