Elektronische Komponenten und Geräte für Unternehmen und Privatpersonen
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Halbleiter Transistoren PNP-Bipolartransistoren

NPN-Transistor, 10A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 150V - 2SB1560

NPN-Transistor, 10A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 150V - 2SB1560
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NPN-Transistor, 10A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 150V - 2SB1560. NPN-Transistor, 10A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 150V. Kollektorstrom: 10A. Gehäuse: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-3P. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 150V. Darlington-Transistor?: ja. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: NF/L. Maximaler hFE-Gewinn: 5000. Pd (Verlustleistung, max): 100W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: PNP. VCBO: 160V. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) 2SD2390. Bestandsmenge aktualisiert am 21/04/2025, 23:25.

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MN2488-MP1620

MN2488-MP1620

NPN-Transistor, 10A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-218, 160V. Kollektorstrom: 10A. Gehäuse: TO-3P ( T...
MN2488-MP1620
NPN-Transistor, 10A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-218, 160V. Kollektorstrom: 10A. Gehäuse: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-218. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 160V. Darlington-Transistor?: ja. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 55 MHz. Funktion: Paar komplementärer Transistoren. Minimaler hFE-Gewinn: 5000. Pd (Verlustleistung, max): 150W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: PNP & NPN. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS
MN2488-MP1620
NPN-Transistor, 10A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-218, 160V. Kollektorstrom: 10A. Gehäuse: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-218. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 160V. Darlington-Transistor?: ja. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 55 MHz. Funktion: Paar komplementärer Transistoren. Minimaler hFE-Gewinn: 5000. Pd (Verlustleistung, max): 150W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: PNP & NPN. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS
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2SB1560-SKN

2SB1560-SKN

NPN-Transistor, 10A, TO-3PN ( 2-16C1B ), TO-3PN ( MT-100 ), 150V. Kollektorstrom: 10A. Gehäuse: TO-...
2SB1560-SKN
NPN-Transistor, 10A, TO-3PN ( 2-16C1B ), TO-3PN ( MT-100 ), 150V. Kollektorstrom: 10A. Gehäuse: TO-3PN ( 2-16C1B ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-3PN ( MT-100 ). Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 150V. Darlington-Transistor?: 1. Menge pro Karton: 2. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 55 MHz. Funktion: hFE 5000. Ic(Impuls): A. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 100W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: PNP. Betriebstemperatur: -...+150°C. VCBO: 160V. Sättigungsspannung VCE(sat): 2.5V. Vebo: 5V. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) 2SD2390. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS
2SB1560-SKN
NPN-Transistor, 10A, TO-3PN ( 2-16C1B ), TO-3PN ( MT-100 ), 150V. Kollektorstrom: 10A. Gehäuse: TO-3PN ( 2-16C1B ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-3PN ( MT-100 ). Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 150V. Darlington-Transistor?: 1. Menge pro Karton: 2. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 55 MHz. Funktion: hFE 5000. Ic(Impuls): A. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 100W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: PNP. Betriebstemperatur: -...+150°C. VCBO: 160V. Sättigungsspannung VCE(sat): 2.5V. Vebo: 5V. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) 2SD2390. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS
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