Elektronische Komponenten und Geräte für Unternehmen und Privatpersonen
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Halbleiter Transistoren

2SB1560

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2SB1560. Darlington-Transistor?: ja. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: NF/L. Maximaler hFE-Gewinn: 5000. Kollektorstrom: 10A. Pd (Verlustleistung, max): 100W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-3P. Transistortyp: PNP. VCBO: 160V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 150V. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) 2SD2390. Bestandsmenge aktualisiert am 13/01/2025, 00:25.

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MN2488-MP1620

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Darlington-Transistor?: ja. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 55 MHz. Funktion: Paar komplementärer...
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Darlington-Transistor?: ja. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 55 MHz. Funktion: Paar komplementärer Transistoren. Minimaler hFE-Gewinn: 5000. Kollektorstrom: 10A. Pd (Verlustleistung, max): 150W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-218. Transistortyp: PNP & NPN. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 160V. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS
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Darlington-Transistor?: 1. Menge pro Karton: 2. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 55 MHz. Funktion: hFE 5000. Kollektorstrom: 10A. Ic(Impuls): A. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 100W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: TO-3PN ( 2-16C1B ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-3PN ( MT-100 ). Transistortyp: PNP. Betriebstemperatur: -...+150°C. VCBO: 160V. Sättigungsspannung VCE(sat): 2.5V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 150V. Vebo: 5V. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) 2SD2390. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS
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