2SC1846

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2SC1846. Kosten): 20pF. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 200 MHz. Maximaler hFE-Gewinn: 340. Minimaler hFE-Gewinn: 85. Kollektorstrom: 1A. Ic(Impuls): 1.5A. Pd (Verlustleistung, max): 5W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: „Epitaktischer planarer Typ“. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-126B-A1. Transistortyp: NPN. VCBO: 45V. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 0.5V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 35V. Gehäuse: TO-126 (TO-225, SOT-32). BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS. Bestandsmenge aktualisiert am 13/01/2025, 03:25.

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