Elektronische Komponenten und Geräte für Unternehmen und Privatpersonen
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Halbleiter Transistoren NPN-Bipolartransistoren

NPN-Transistor, 1.5A, TO-220, 160V - 2SC2238

NPN-Transistor, 1.5A, TO-220, 160V - 2SC2238
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NPN-Transistor, 1.5A, TO-220, 160V - 2SC2238. NPN-Transistor, 1.5A, TO-220, 160V. Kollektorstrom: 1.5A. Gehäuse: TO-220. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 160V. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 100 MHz. Pd (Verlustleistung, max): 25W. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) 2SA968. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: NPN. Originalprodukt vom Hersteller Pmc. Bestandsmenge aktualisiert am 23/07/2025, 04:25.

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NPN-Transistor, 1.5A, TO-220, TO-220AB, 160V. Kollektorstrom: 1.5A. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 160V. BE-Diode: NINCS. Kosten): 30pF. CE-Diode: NINCS. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 100MHz. Funktion: Hochspannungsschaltung, NF-Leistungsverstärker. Maximaler hFE-Gewinn: 200. Minimaler hFE-Gewinn: 60. Ic(Impuls): 3A. Anzahl der Terminals: 3. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 25W. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) 2SA1011. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: NPN. VCBO: 180V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.5V. Vebo: 6V
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NPN-Transistor, 1.5A, TO-220, TO-220AB, 160V. Kollektorstrom: 1.5A. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 160V. BE-Diode: NINCS. Kosten): 30pF. CE-Diode: NINCS. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 100MHz. Funktion: Hochspannungsschaltung, NF-Leistungsverstärker. Maximaler hFE-Gewinn: 200. Minimaler hFE-Gewinn: 60. Ic(Impuls): 3A. Anzahl der Terminals: 3. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 25W. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) 2SA1011. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: NPN. VCBO: 180V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.5V. Vebo: 6V
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