Elektronische Komponenten und Geräte für Unternehmen und Privatpersonen
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Halbleiter Transistoren

2SC2238

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2SC2238. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 100 MHz. Kollektorstrom: 1.5A. Pd (Verlustleistung, max): 25W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: TO-220. Transistortyp: NPN. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 160V. Menge pro Karton: 1. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) 2SA968. Bestandsmenge aktualisiert am 12/01/2025, 23:25.

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Kosten): 30pF. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 100MHz. Maximaler hFE-Gewinn: 200. Minimaler hFE-Gewinn: 60. Kollektorstrom: 1.5A. Ic(Impuls): 3A. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 25W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. Transistortyp: NPN. VCBO: 180V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.5V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 160V. Vebo: 6V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. Funktion: Hochspannungsschaltung, NF-Leistungsverstärker. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) 2SA1011. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS
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