Elektronische Komponenten und Geräte für Unternehmen und Privatpersonen
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2SC2910

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2SC2910. RoHS: ja. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-92. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: 2SC2910. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 180V/160V. Kollektorstrom Ic [A], max.: 70mA. Grenzfrequenz ft [MHz]: 400. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.6W. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 0.9W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Tf(max): 0.2us. Tf(min): 0.2us. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-92M ( 9mm ). Transistortyp: NPN. VCBO: 180V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.08V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 160V. Vebo: 5V. Anzahl der Terminals: 3. Betriebstemperaturbereich min (°C): 70mA. Betriebstemperaturbereich max (°C): 140mA. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) 2SA1208. Bestandsmenge aktualisiert am 13/01/2025, 09:25.

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Kosten): 1.7pF. Darlington-Transistor?: NINCS. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 150 MHz. Maximaler hFE-Gewinn: 320. Minimaler hFE-Gewinn: 40. Kollektorstrom: 0.1A. Ic(Impuls): 0.2A. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: C3467. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 1W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: TO-92. Gehäuse (laut Datenblatt): SC-51 ( MP ). Transistortyp: NPN. VCBO: 200V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.6V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 200V. Vebo: 5V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. Hinweis: 9mm Höhe. Spec info: VCB=30V, f=1MHz, Cob 1.7pF, Cre 1.2pF. Funktion: Video, Hi-def. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS
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Kosten): 1.7pF. Darlington-Transistor?: NINCS. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 150 MHz. Maximaler hFE-Gewinn: 320. Minimaler hFE-Gewinn: 40. Kollektorstrom: 0.1A. Ic(Impuls): 0.2A. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: C3467. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 1W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: TO-92. Gehäuse (laut Datenblatt): SC-51 ( MP ). Transistortyp: NPN. VCBO: 200V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.6V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 200V. Vebo: 5V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. Hinweis: 9mm Höhe. Spec info: VCB=30V, f=1MHz, Cob 1.7pF, Cre 1.2pF. Funktion: Video, Hi-def. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS
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Halbleitermaterial: Silizium. FT: 80 MHz. Minimaler hFE-Gewinn: 40. Kollektorstrom: 50mA. Ic(Impuls)...
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Halbleitermaterial: Silizium. FT: 80 MHz. Minimaler hFE-Gewinn: 40. Kollektorstrom: 50mA. Ic(Impuls): 100mA. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 830mW. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: „Triple Diffused Planar Transistor“. Gehäuse: TO-92. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-92. Transistortyp: PNP. VCBO: 300V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.2V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 300V. Vebo: 5V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) BF420. CE-Diode: ja
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Halbleitermaterial: Silizium. FT: 80 MHz. Minimaler hFE-Gewinn: 40. Kollektorstrom: 50mA. Ic(Impuls): 100mA. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 830mW. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: „Triple Diffused Planar Transistor“. Gehäuse: TO-92. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-92. Transistortyp: PNP. VCBO: 300V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.2V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 300V. Vebo: 5V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) BF420. CE-Diode: ja
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2SC2705

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Kosten): 1.8pF. Darlington-Transistor?: NINCS. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 200 MHz. Funktion: Audioverstärker. Maximaler hFE-Gewinn: 160. Minimaler hFE-Gewinn: 80. Kollektorstrom: 50mA. Ic(Impuls): 800mA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: C2705. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 0.8W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: „Epitaktischer Typ (PCT-Prozess)“. Gehäuse: TO-92. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-92MOD ( 2-5J1A ). Transistortyp: NPN. VCBO: 150V. Sättigungsspannung VCE(sat): 1V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 150V. Vebo: 5V. Anzahl der Terminals: 3. Hinweis: 9mm. Menge pro Karton: 1. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) 2SA1145. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS
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