Elektronische Komponenten und Geräte für Unternehmen und Privatpersonen

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2SC3519A

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2SC3519A. Kosten): 250pF. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 50 MHz. Maximaler hFE-Gewinn: 180. Minimaler hFE-Gewinn: 50. Kollektorstrom: 15A. Pd (Verlustleistung, max): 130W. Gehäuse: TO-3P ( TO3P ). Transistortyp: NPN. Betriebstemperatur: -55...+150°C. VCBO: 180V. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 2V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 180V. Vebo: 5V. Funktion: für Hi-Fi-Audioverstärker. Technologie: NPN-Epitaxial-Planartransistor. Gehäuse (laut Datenblatt): TO3P-3L. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) 2SA1386A. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS. Bestandsmenge aktualisiert am 13/01/2025, 10:25.

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