NPN-Transistor, 1A, TO-220FP, 2-10R1A, 230V - 2SC4793

NPN-Transistor, 1A, TO-220FP, 2-10R1A, 230V - 2SC4793. NPN-Transistor, 1A, TO-220FP, 2-10R1A, 230V. Kollektorstrom: 1A. Gehäuse: TO-220FP. Gehäuse (laut Datenblatt): 2-10R1A. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 230V. BE-Diode: NINCS. Kosten): 20pF. CE-Diode: NINCS. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 100 MHz. Funktion: NF-L. Maximaler hFE-Gewinn: 320. Minimaler hFE-Gewinn: 100. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 20W. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) 2SA1837. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: NPN. Betriebstemperatur: -...+150°C. VCBO: 230V. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 1.5V. Vebo: 5V. Originalprodukt vom Hersteller Toshiba. Bestandsmenge aktualisiert am 06/06/2025, 23:25.