Elektronische Komponenten und Geräte für Unternehmen und Privatpersonen
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NPN-Transistor, 8A, TO-251 ( I-Pak ), TO-251AA ( I-PAK ), 80V - 2SC5707

NPN-Transistor, 8A, TO-251 ( I-Pak ), TO-251AA ( I-PAK ), 80V - 2SC5707
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NPN-Transistor, 8A, TO-251 ( I-Pak ), TO-251AA ( I-PAK ), 80V - 2SC5707. NPN-Transistor, 8A, TO-251 ( I-Pak ), TO-251AA ( I-PAK ), 80V. Kollektorstrom: 8A. Gehäuse: TO-251 ( I-Pak ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-251AA ( I-PAK ). Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 80V. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS. Konditionierung: Kunststoffrohr. Konditionierungseinheit: 100dB. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 330 MHz. Funktion: DC-DC-Wandler, TFT-Netzteil. Maximaler hFE-Gewinn: 560. Minimaler hFE-Gewinn: 200. Ic(Impuls): 11A. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: C5707. Anzahl der Terminals: 3. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 15W. RoHS: ja. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) 2SA2040. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Tf(max): 25 ns. Tf(min): 25 ns. Transistortyp: NPN. VCBO: 80V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.11V. Originalprodukt vom Hersteller Sanyo. Bestandsmenge aktualisiert am 08/06/2025, 22:25.

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2SC5707FA

2SC5707FA

NPN-Transistor, 8A, D-PAK ( TO-252 ), TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ), 80V. Kollektorstrom: 8A. Gehäus...
2SC5707FA
NPN-Transistor, 8A, D-PAK ( TO-252 ), TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ), 80V. Kollektorstrom: 8A. Gehäuse: D-PAK ( TO-252 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ). Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 80V. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 330 MHz. Funktion: DC-DC-Wandler, TFT-Netzteil. Maximaler hFE-Gewinn: 560. Minimaler hFE-Gewinn: 200. Ic(Impuls): 11A. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: C5707T. Anzahl der Terminals: 2. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 15W. RoHS: ja. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) 2SA2040FA. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Technologie: „Epitaxialer planarer Siliziumtransistor“. Tf(max): 25 ns. Tf(min): 25 ns. Transistortyp: NPN. VCBO: 80V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.11V. Vebo: 6V
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NPN-Transistor, 8A, D-PAK ( TO-252 ), TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ), 80V. Kollektorstrom: 8A. Gehäuse: D-PAK ( TO-252 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ). Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 80V. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 330 MHz. Funktion: DC-DC-Wandler, TFT-Netzteil. Maximaler hFE-Gewinn: 560. Minimaler hFE-Gewinn: 200. Ic(Impuls): 11A. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: C5707T. Anzahl der Terminals: 2. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 15W. RoHS: ja. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) 2SA2040FA. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Technologie: „Epitaxialer planarer Siliziumtransistor“. Tf(max): 25 ns. Tf(min): 25 ns. Transistortyp: NPN. VCBO: 80V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.11V. Vebo: 6V
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