2SD1623S

2SD1623S. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 150 MHz. Maximaler hFE-Gewinn: 280. Minimaler hFE-Gewinn: 140. Kollektorstrom: 2A. Ic(Impuls): 4A. Hinweis: Komplementärtransistor (Paar) 2SB1123S. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: DF. Anzahl der Terminals: 3. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 0.5W. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Technologie: „Epitaxialer planarer Siliziumtransistor“. Tf(max): 30 ns. Tf(min): 30 ns. Gehäuse: SOT-89 4-Pin ( 3+Tab ). Gehäuse (laut Datenblatt): SOT-89. Transistortyp: NPN. VCBO: 60V. Sättigungsspannung VCE(sat): 1.5V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 50V. Vebo: 6V. Funktion: Hochstromschaltung, niedrige Sättigungsspannung. Spec info: Siebdruck/SMD-Code DF. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS. Bestandsmenge aktualisiert am 14/01/2025, 12:25.