2SD1624S

Menge	exkl. MwSt	inkl. MwSt
1 - 4	0.92€	1.10€
5 - 9	0.87€	1.04€
10 - 24	0.82€	0.98€
25 - 49	0.78€	0.94€
50 - 61	0.76€	0.91€

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Set mit 1

2SD1624S. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 150 MHz. Maximaler hFE-Gewinn: 280. Minimaler hFE-Gewinn: 140. Kollektorstrom: 3A. Ic(Impuls): 6A. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: DG. Anzahl der Terminals: 3. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 0.5W. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Technologie: „Epitaktische planare Siliziumtransistoren“. Tf(max): 35 ns. Tf(min): 35 ns. Gehäuse: SOT-89 4-Pin ( 3+Tab ). Gehäuse (laut Datenblatt): SOT-89. Transistortyp: NPN. VCBO: 60V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.35V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 50V. Vebo: 6V. Funktion: Hochstromschaltung, niedrige Sättigungsspannung. Spec info: Siebdruck/SMD-Code DG. Bestandsmenge aktualisiert am 14/01/2025, 11:25.

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