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2SD1996R

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Set mit 1

2SD1996R. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 200 MHz. Funktion: Io-sat DC/DC. Maximaler hFE-Gewinn: 350. Minimaler hFE-Gewinn: 200. Kollektorstrom: 0.5A. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 0.6W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: TO-92. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-92. Transistortyp: NPN. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 25V. Bestandsmenge aktualisiert am 14/01/2025, 22:25.

Technische Dokumentation