2SD2012

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1 - 4	1.74€	2.09€
5 - 9	1.66€	1.99€
10 - 24	1.57€	1.88€
25 - 49	1.48€	1.78€
50 - 99	1.45€	1.74€
100 - 249	1.41€	1.69€
250+	1.34€	1.61€

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2SD2012. Kosten): 35pF. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 3 MHz. Maximaler hFE-Gewinn: 300. Minimaler hFE-Gewinn: 100. Kollektorstrom: 3A. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: D2012. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 25W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: Silicon NPN Triple Diffused Type. Gehäuse: TO-220FP. Gehäuse (laut Datenblatt): 2-10R1A. Transistortyp: NPN. VCBO: 60V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.4V. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 1V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 60V. Vebo: 7V. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) 2SB1366. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS. Bestandsmenge aktualisiert am 15/01/2025, 19:25.

Technische Dokumentation

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KSD2012GTU

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