Elektronische Komponenten und Geräte für Unternehmen und Privatpersonen
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2SD2396. Kosten): 55pF. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 40 MHz. Maximaler hFE-Gewinn: 2000. Minimaler hFE-Gewinn: 1000. Kollektorstrom: 3A. Ic(Impuls): 6A. Anzahl der Terminals: 3. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 30W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: TO-220FP. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220FN. Transistortyp: NPN. VCBO: 80V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.3V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 60V. Vebo: 6V. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS. Bestandsmenge aktualisiert am 13/01/2025, 06:25.

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Kosten): 30pF. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 40 MHz. Funktion: High hFE, LOW Vce(sat). Kollektorstrom: 3A. Pd (Verlustleistung, max): 25W. Technologie: NPN-Dreifach-Diffusions-Planartransistor. Gehäuse: TO-220FP. Gehäuse (laut Datenblatt): FM20 (TO220F). Transistortyp: NPN. VCBO: 80V. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 0.5V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 50V. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS
2SC4495
Kosten): 30pF. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 40 MHz. Funktion: High hFE, LOW Vce(sat). Kollektorstrom: 3A. Pd (Verlustleistung, max): 25W. Technologie: NPN-Dreifach-Diffusions-Planartransistor. Gehäuse: TO-220FP. Gehäuse (laut Datenblatt): FM20 (TO220F). Transistortyp: NPN. VCBO: 80V. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 0.5V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 50V. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS
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